含有金属材料的构件，物理气相沉积靶，薄膜，和形成金属构件...
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明包括含有金属材料的构件。该金属材料包含大量晶粒，基本上所有的晶粒都是基本上等轴的，且晶粒具有小于或等于大约30微米的平均晶粒尺寸。该构件通过使用等轴向真空热压特点在于325目大小的起始金属粉末而形成。示例性构件是溅射靶，该溅射靶在横跨溅射表面及其整个厚度上具有高度的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
含有金属材料的构件，物理气相沉积靶，薄膜，和形成金属构件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101155945A
申请号 ：
CN200580049002.9
公开（公告）日 ：
2008-04-02
申请日 ：
2005-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
D·L·莫拉尔斯S·D·斯特罗瑟斯
申请人 ：
霍尼韦尔国际公司
申请人地址 ：
美国新泽西州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
温宏艳
优先权 ：
CN200580049002.9
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2010-03-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-05-28 ：
实质审查的生效
2008-04-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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