线放电加工方法、半导体晶片制造方法以及太阳能电池用单元制...
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摘要
本发明涉及对太阳能电池用硅等的不良导体的线放电加工方法，和基于该线放电加工方法的半导体晶片制造方法以及太阳能电池用单元制造方法。本发明提供通过在线电极上施加脉冲宽度大于等于1μsec且小于等于4μsec、并且线电极在加工时的峰值电流大于等于10A且小于等于50A的脉冲电压，在上述线电极与加工对象物之间发生放电脉冲，对大于等于0.5Ω·cm且小于等于5Ω·cm的高电阻率硬脆材料进行放电加工的方法。
基本信息
专利标题 ：
线放电加工方法、半导体晶片制造方法以及太阳能电池用单元制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101309770A
申请号 ：
CN200580052095.0
公开（公告）日 ：
2008-11-19
申请日 ：
2005-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
佐藤达志今井祥人高桥悌史坂田刚志千代知子西本阳一郎松野繁前川武之岩田高明
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
郭放
优先权 ：
CN200580052095.0
主分类号 ：
B23H7/02
IPC分类号 ：
B23H7/02
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B23
机床；其他类目中不包括的金属加工
B23H
用电极代替刀具，以电流高度集中的作用在工件上的金属加工；这种加工与其他方式的金属加工的组合
B23H7/00
可兼用于放电加工和电化加工的方法或设备
B23H7/02
线切割
法律状态
2010-08-04 ：
授权
2009-01-14 ：
实质审查的生效
2008-11-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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