于半导体装置中形成栅电极图案的方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种形成与非(NAND)快闪存储器装置的方法，该方法包括：形成多个具有第一及第二多晶硅层的第一栅电极图案、第一与第二多晶硅层之间的介电层、及第二多晶硅层上的牺牲层，第一栅电极图案界定第一宽度的至少一个第一沟槽；形成多个具有第一及第二多晶硅层的第二栅电极图案、第一与第二多晶硅层之间的介电层、及第二多晶硅层上的牺牲层，第二栅电极图案界定第二宽度的至少一个第二沟槽；在第一及第二栅电极图案上形成第一绝缘层，该第一绝缘层填充第一沟槽且提供于第二沟槽的侧壁上；将第二绝缘层填充入第二沟槽中；移除牺牲层以形成第二多晶硅层上的多个第三沟槽；及在第三沟槽内形成金属层以形成多个栅极结构。
基本信息
专利标题 ：
于半导体装置中形成栅电极图案的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832134A
申请号 ：
CN200610004408.1
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-02-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李圣勋
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610004408.1
主分类号 ：
H01L21/82
IPC分类号 ：
H01L21/82 H01L21/8247
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
法律状态
2015-04-01 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101603734253
IPC(主分类) : H01L 21/82
专利号 : ZL2006100044081
申请日 : 20060210
授权公告日 : 20110511
终止日期 : 20140210
号牌文件序号 : 101603734253
IPC(主分类) : H01L 21/82
专利号 : ZL2006100044081
申请日 : 20060210
授权公告日 : 20110511
终止日期 : 20140210
2011-05-11 ：
授权
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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