包括独立可控的栅电极的两位非易失性存储器件及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种非易失性集成电路存储器件包括：衬底，包括在其中的第一和第二源区/漏区以及其间的沟道区，邻近第一源区/漏区的沟道区上的第一存储单元，以及邻近第二源区/漏区的沟道区上的第二存储单元。第一存储单元包括沟道区上的第一导电栅和其间的第一多层电荷存储结构。类似地，第二存储单元包括沟道区上的第二导电栅和其间的第二多层电荷存储结构。在第一和第二存储单元之间的沟道区上沿其侧壁延伸的单层绝缘层。单层绝缘层可以不包括电荷俘获层，以及可以将第一和第二导电栅分开一距离，该距离小于第一多层电荷存储结构的厚度。还论述了相关的制造方法。
基本信息
专利标题 ：
包括独立可控的栅电极的两位非易失性存储器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832203A
申请号 ：
CN200610007065.4
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴起台崔正达
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林宇清
优先权 ：
CN200610007065.4
主分类号 ：
H01L29/792
IPC分类号 ：
H01L29/792 H01L27/115 H01L21/336 H01L21/8247
法律状态
2010-01-13 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-01-30 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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