平坦化半导体结构的方法
授权
摘要
本发明提供一种平坦化半导体结构的方法。提供一半导体基底，具有一第一区域及一第二区域，其中该第二区域的沟槽密度低于该第一区域。在该半导体基底上形成一第一介电层，以覆盖该第一及该第二区域的该沟槽。以特定的研磨浆进行一第一化学机械研磨，以降低该第一介电层的厚度。接着清洗该第一介电层。以该特定的研磨浆进行一第二化学机械研磨，以移除该沟槽外的该第一介电层，因此降低该第一及该第二区域表面间的高低差。本发明所述平坦化半导体结构的方法，可降低高沟槽密度区及低沟槽密度区间的阶梯高度差。
基本信息
专利标题 ：
平坦化半导体结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1933108A
申请号 ：
CN200610007823.2
公开（公告）日 ：
2007-03-21
申请日 ：
2006-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈盈淙卢永诚吴振诚陈笔聪
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610007823.2
主分类号 ：
H01L21/3105
IPC分类号 ：
H01L21/3105 H01L21/762
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
法律状态
2010-01-06 ：
授权
2007-05-16 ：
实质审查的生效
2007-03-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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