防止热电子程序扰动现象的非易失性存储器装置及方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种在NAND闪存装置中防止产生热电子所致的程序扰动的方法。一低于一施加至其它字线的程序抑制电压的信道升压防扰电压被施加至耦接至离选择晶体管最近的存储器单元的边缘字线。结果，一介于耦接至所述边缘字线的所述存储器单元与所述选择晶体管之间的电场减弱，且热电子的能量减小。

基本信息

专利标题：

防止热电子程序扰动现象的非易失性存储器装置及方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1848297A

申请号：

CN200610009487.5

公开（公告）日：

2006-10-18

申请日：

2006-02-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

朱锡镇

申请人：

海力士半导体有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

蒲迈文

优先权：

CN200610009487.5

主分类号：

G11C16/06

IPC分类号：

G11C16/06

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11C

静态存储器

G11C16/06

辅助电路，例如：用于写入存储器的

法律状态

2015-04-08 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101605115480
IPC(主分类) : G11C 16/06
专利号 : ZL2006100094875
申请日 : 20060223
授权公告日 : 20090708
终止日期 : 20140223

2009-07-08 ：

授权

2006-12-13 ：

实质审查的生效

2006-10-18 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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