圆片级封装集成电路的方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
圆片级封装集成电路是通过在切割集成电路圆片前粘接盖子圆片到集成电路圆片的正面制作的，即在划取集成电路圆片上多数芯片前。盖子圆片机械粘接和电连接到集成电路圆片，然后芯片裂片。导电路径通过盖子圆片在盖子顶部上的圆片接触焊块和集成电路圆片上的电触点之间延伸。任意地，盖子圆片包括一个或多个芯片。集成电路圆片可以按照不同于盖子圆片地技术制造，从而形成混合圆片级封装。任意地，额外地“顶层”盖子圆片(有或没有芯片)能堆叠形成“多层”集成电路。
基本信息
专利标题 ：
圆片级封装集成电路的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1851888A
申请号 ：
CN200610039178.2
公开（公告）日 ：
2006-10-25
申请日 ：
2006-03-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵阳
申请人 ：
美新半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
214028江苏省无锡市新区107地块
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN200610039178.2
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2009-12-02 ：
发明专利申请公布后的驳回
2006-12-20 ：
实质审查的生效
2006-10-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
