半导体器件及其操作方法

专利权的终止

摘要

为了提供一种与传统存储元件不同的确定地利用例如介质击穿等现象的存储元件，还为了提供一种具有提高的存储容量的存储装置，本发明提供了一种存储装置及其操作方法，其中该存储装置具有一对电极和夹在这对电极之间的多个存储材料层，在该操作方法中，通过施加电压顺次破坏存储材料层。例如，在存储装置中层叠两个存储材料层的情况下，通过施加第一电压给这对电极来破坏这两个存储材料层的其中之一，接着施加第二电压给这对电极来破坏这两个存储材料层的其中另一个，操作该存储装置。

基本信息

专利标题：

半导体器件及其操作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1832176A

申请号：

CN200610051510.7

公开（公告）日：

2006-09-13

申请日：

2006-02-28

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

加藤清荒井康行濑尾哲史

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

肖春京

优先权：

CN200610051510.7

主分类号：

H01L27/108

IPC分类号：

H01L27/108 H01L27/102 H01L27/10