覆晶封装方法及其电路基板的预焊料的形成方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要

本发明提供一种电路基板的预焊料的形成方法。首先,提供一电路基板,其包括上表面和下表面,上、下表面分别形成有若干个金属线路。一上表面焊罩层覆盖于部分上表面金属线路和部分上表面,并暴露出部分上表面金属线路的若干个上表面焊点。一下表面焊罩层覆盖于部分下表面金属线路和部分下表面,并暴露出部分下表面金属线路的若干个下表面焊点。接着,在上表面形成一图案化的光阻层,其具有若干个开口以暴露出上表面焊点。然后,以印刷方式在开口中形成若干金属材料。再者,以回焊金属材料在上表面焊点上形成若干预焊料。最后,移除该图案化的光阻层。本发明还在此基础上提供一覆晶封装方法。由于不以外力去除光阻层,可以提高预焊料的精度。

基本信息
专利标题 :
覆晶封装方法及其电路基板的预焊料的形成方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101026108A
申请号 :
CN200610059021.6
公开(公告)日 :
2007-08-29
申请日 :
2006-02-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
方仁广冯仲华
申请人 :
日月光半导体制造股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号
代理机构 :
上海东亚专利商标代理有限公司
代理人 :
罗习群
优先权 :
CN200610059021.6
主分类号 :
H01L21/60
IPC分类号 :
H01L21/60  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接,用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2010-11-24 :
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101043682180
IPC(主分类) : H01L 21/60
专利申请号 : 2006100590216
公开日 : 20070829
2007-10-24 :
实质审查的生效
2007-08-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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