基板结构及薄膜图案层的制造方法

专利权的终止

摘要

本发明涉及一种基板结构，其包括：一基板和多个形成于该基板上的挡墙，该挡墙和基板间形成多个收容空间，该收容空间用于收容墨水，所述挡墙宽度W是挡墙高度H的函数，在0＜H＜最大高度H_max时，该函数存在奇点，且从该奇点两端的左逼近的宽度大于右逼近的宽度。所述挡墙可阻挡墨水扩散到相邻的收容空间，从而避免填充到两相邻收容空间的墨水出现相混。本发明还涉及一种薄膜图案层的制造方法，其步骤如下：提供一上述基板结构；通过一喷墨装置将墨水填充于收容空间中；干燥固化收容空间中的墨水而形成薄膜图案层。

基本信息

专利标题：

基板结构及薄膜图案层的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101042998A

申请号：

CN200610065656.7

公开（公告）日：

2007-09-26

申请日：

2006-03-21

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

周景瑜李岱原

申请人：

虹创科技股份有限公司

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市工业东四路24－1号4楼

代理机构：

北京申翔知识产权代理有限公司

代理人：

周春发

优先权：

CN200610065656.7

主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/02 H01L21/208 H01L21/288 H01L21/31 H01L21/3205 H01L21/768

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

法律状态

2016-05-11 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101660278516
IPC(主分类) : H01L 21/02
专利号 : ZL2006100656567
申请日 : 20060321
授权公告日 : 20090923
终止日期 : 20150321

2010-05-26 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101002219459
IPC(主分类) : H01L 21/02
专利号 : ZL2006100656567
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 虹创科技股份有限公司
变更后权利人 : 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 000000 台湾省新竹科学工业园区新竹市工业东四路24-1号4楼
变更后权利人 : 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 鸿海精密工业股份有限公司
登记生效日 : 20100416

2009-09-23 ：

授权

2007-11-21 ：

实质审查的生效

2007-09-26 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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