半导体装置
授权
摘要
一种具有半导体芯片、电连接到半导体芯片的第一线圈、和电连接到第一线圈的第一电极的半导体装置，包括第二电极，第二电极可电连接到第一电极并且可在半导体装置外部电连接到第二线圈，其特征在于：通过电连接第二电极到第一电极和第二线圈，获得由第一线圈和第二线圈组成的电感。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1893052A
申请号 ：
CN200610121409.4
公开（公告）日 ：
2007-01-10
申请日 ：
2006-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
佐藤明弘关口智镰土清和坪野谷诚三田清志锅田洋一
申请人 ：
三洋电机株式会社;关东三洋半导体株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王永刚
优先权 ：
CN200610121409.4
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2009-08-19 ：
授权
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2007-01-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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