用以生长成型单晶氧化铝瓷的导模结构
专利权的终止
摘要

本实用新型为用以生长成型单晶氧化铝瓷的导模结构。其内部的温差较小,单晶氧化铝瓷结晶时成品率高,成本较低,适合工业化批量生产。其包括坩埚,所述坩埚通过托柄安装于加热器内,所述加热器安装于电极板,所述加热器外设置有保温屏,所述坩埚内设置有结晶器,所述结晶器结晶台面的上方设置有籽晶,所述籽晶通过连接结构与籽晶轴接套连接,其特征在于:所述的坩埚为长方体形或两端部为圆弧形状的长方条形,所述的结晶器沿坩埚的长度方向的中心线依次布置,所述加热器为长方体形或两端部为圆弧形状的长方条形。

基本信息
专利标题 :
用以生长成型单晶氧化铝瓷的导模结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620075673.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-08-25
授权号 :
CN200981899Y
授权日 :
2007-11-28
发明人 :
俞鹤庆俞瑾
申请人 :
俞鹤庆;俞瑾
申请人地址 :
214000江苏省无锡市滨湖区溪北新村20号-503室
代理机构 :
无锡盛阳专利事务所
代理人 :
顾吉云
优先权 :
CN200620075673.4
主分类号 :
C30B15/24
IPC分类号 :
C30B15/24  C30B29/20  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
C30B15/22
被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制;晶体截面的控制
C30B15/24
使用机械装置,例如成形导模的
法律状态
2012-10-31 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101341716855
IPC(主分类) : C30B 15/24
专利号 : ZL2006200756734
申请日 : 20060825
授权公告日 : 20071128
终止日期 : 20110825
2007-11-28 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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