封装前的焊线架结构及其半导体功率晶体封装结构
专利权的终止
摘要

本实用新型封装前的焊线架结构主要由晶粒座、第一焊接区、有效焊接面积大于第一焊接区的第二焊接区、支撑晶粒座的支架,并利用此焊线架结构完成封装的本实用新型半导体功率晶体封装结构。虽然在本实用新型封装前的焊线架结构中,两个焊接区域的焊接面积有差异性,但因支架偏心地经过此二焊接区之间而延伸至晶粒座,所以支架为无偏斜直条状,同时焊接区域的外观也无缺角。因此,本实用新型焊线架结构具有较大的焊接区域。

基本信息
专利标题 :
封装前的焊线架结构及其半导体功率晶体封装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620175299.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-12-27
授权号 :
CN201051497Y
授权日 :
2008-04-23
发明人 :
李明芬萧简湘
申请人 :
勤益股份有限公司
申请人地址 :
台湾省台北市大安区忠孝东路4段320号9楼
代理机构 :
北京挺立专利事务所
代理人 :
皋吉甫
优先权 :
CN200620175299.5
主分类号 :
H01L23/495
IPC分类号 :
H01L23/495  H01L23/488  H01L23/31  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置,例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2014-02-26 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101573323437
IPC(主分类) : H01L 23/495
专利号 : ZL2006201752995
申请日 : 20061227
授权公告日 : 20080423
终止日期 : 20121227
2008-04-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN201051497Y.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332