一种功率半导体的封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种功率半导体的封装结构，包括：散热绝缘基板，散热绝缘基板具备平整焊接芯片区域；芯片单元，一个或多个芯片单元设于平整焊接芯片区域内，芯片单元的一表面与散热绝缘基板相连接；金属箔，芯片单元的另一表面与金属箔相连接；框架引脚输入部，框架引脚输入部与散热绝缘基板相连接；框架引脚输出部，框架引脚输出部通过第一金属键合引线与金属箔相连接；框架引脚信号部，框架引脚信号部通过第二金属键合引线与金属箔相连接。本实用新型的通过金属箔的方式实现了功率半导体芯片的双面焊接或银浆烧结，增加热容、提高了芯片的持续输出电流能力和瞬时过电流能力，延长了模块的使用寿命、降低使用成本。
基本信息
专利标题 ：
一种功率半导体的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122867684.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-22
授权号 ：
CN216749898U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
房军军叶小港
申请人 ：
浙江谷蓝电子科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市海宁市海洲街道文康路1号1-3幢
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
林志豪
优先权 ：
CN202122867684.3
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L25/07 H01L23/495 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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