半导体制造装置用密封材料
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
作为橡胶成分含有80～50重量％四氟乙烯－全氟烷基乙烯基醚类的全氟弹性体(FFKM)和20～50重量％除FFKM以外的含氟橡胶(FKM)的半导体制造装置用密封材料，其中，FFKM+FKM＝100重量％。本发明提供耐等离子体裂缝性等良好，即使被用作直接或间接受到半导体制造装置内发生的等离子体的照射的部位的密封材料的情况下，密封材料的重量减少率也小，而且密封材料上不易产生裂缝，压缩永久变形也小，同时这些特性的平衡良好，可良好地用作半导体制造装置用密封材料的密封材料。
基本信息
专利标题 ：
半导体制造装置用密封材料
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101120435A
申请号 ：
CN200680004803.8
公开（公告）日 ：
2008-02-06
申请日 ：
2006-02-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
岡崎雅則
申请人 ：
日本华尔卡工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
徐迅
优先权 ：
CN200680004803.8
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 H01L21/205 C08L27/12 C09K3/10 F16J15/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2019-03-22 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/3065
变更事项 : 专利权人
变更前 : 日本华尔卡工业株式会社
变更后 : 株式会社华尔卡
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京
变更后 : 日本东京
变更事项 : 专利权人
变更前 : 日本华尔卡工业株式会社
变更后 : 株式会社华尔卡
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京
变更后 : 日本东京
2010-05-19 ：
授权
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2008-02-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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