半导体制造装置
实质审查的生效
摘要
实施方式提供一种能够使自由基生成的控制性提高的半导体制造装置。实施方式所涉及的半导体制造装置具备容纳半导体基板的腔室和设置于腔室的侧面的多个线圈。腔室具有：在半导体基板的上方被作为多个线圈之一的第1线圈包围的第1空间区域、与第1空间区域连通的第1气体导入口、被多个线圈中的与第1线圈不同的第2线圈包围的第2空间区域和与第2空间区域连通的第2气体导入口。
基本信息
专利标题 ：
半导体制造装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267571A
申请号 ：
CN202110776703.3
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-07-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
藤井干西田大介
申请人 ：
铠侠股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
万利军
优先权 ：
CN202110776703.3
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H05H1/46
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/32
申请日 : 20210709
申请日 : 20210709
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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