半导体制造装置
实质审查的生效
摘要
本发明的实施方式提供一种能提高涂布液的涂布宽度的均匀性的半导体制造装置。实施方式的半导体制造装置具备：衬底保管单元，保管半导体晶圆W；衬底处理单元，具备保持半导体晶圆W且使之旋转的旋转保持部22、将涂布液供给到半导体晶圆W上的涂布液供给部23；衬底搬送单元，具备取出半导体晶圆W并交接到旋转保持部22的搬送臂321、使搬送臂321移动的移动机构；及位置检测单元40，检测搬送臂321的位置。移动机构基于位置检测单元40对搬送臂321的位置检测结果，修正搬送臂321的位置，且使搬送臂321移动到旋转保持部22上。
基本信息
专利标题 ：
半导体制造装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388395A
申请号 ：
CN202110942155.7
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-08-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
德永淳二
申请人 ：
铠侠股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
杨林勳
优先权 ：
CN202110942155.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/687 G03F7/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20210817
申请日 : 20210817
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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