前段工序中用于清洁离子注入的光致抗蚀剂的组合物

专利权的终止

摘要

用于从晶片基板去除非灰化的离子注入的光致抗蚀剂的前段(FEOL)剥离和清洁的组合物，包括：a)至少一种有机剥离溶剂，b)至少一种选自氟化铵，氟化氢铵或氟化氢的氟离子，c)至少一种选自无机酸或有机酸的酸化剂，d)水，组合物中还可任选地含有氧化剂。

基本信息

专利标题：

前段工序中用于清洁离子注入的光致抗蚀剂的组合物

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101156232A

申请号：

CN200680011122.4

公开（公告）日：

2008-04-02

申请日：

2006-03-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

肖恩·M·凯恩斯蒂芬·A·利皮

申请人：

马林克罗特贝克公司

申请人地址：

美国新泽西州

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

张平元

优先权：

CN200680011122.4

主分类号：

H01L21/311

IPC分类号：

H01L21/311 C11D11/00 G03F7/42

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/31

在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择

H01L21/3105

后处理

H01L21/311

绝缘层的刻蚀

法律状态

2013-05-08 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101448954385
IPC(主分类) : H01L 21/311
专利号 : ZL2006800111224
申请日 : 20060313
授权公告日 : 20091028
终止日期 : 20120313

2011-02-23 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101068495014
IPC(主分类) : H01L 21/311
专利号 : ZL2006800111224
变更事项 : 专利权人
变更前 : 马林克罗特贝克公司
变更后 : 安万托特性材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国新泽西州
变更后 : 美国新泽西州

2009-10-28 ：

授权

2008-05-28 ：

实质审查的生效

2008-04-02 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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