半导体芯片中的电容

专利权的终止

摘要

本实用新型揭示了一种半导体芯片中的电容，包括衬底层、多晶硅层、至少一金属层；所述每层金属层呈六边形网状结构。本实用新型能够更佳充分地利用空间，使得金属层的侧表面积可以得到充分利用，从而增加电容的密度；同时，充分利用了通孔的侧面电容，使得等效寄生电容得到提高。这在深亚微米集成电路制造工艺更有意义。

基本信息

专利标题：

半导体芯片中的电容

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820057145.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-04-10

授权号：

CN201207394Y

授权日：

2009-03-11

发明人：

许刚

申请人：

捷顶微电子(上海)有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江高科技园区春晓路149号主楼1楼

代理机构：

上海光华专利事务所

代理人：

余明伟

优先权：

CN200820057145.5

主分类号：

H01L27/00

IPC分类号：

H01L27/00 H01L27/02 H01L29/92

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

法律状态

2018-05-04 ：

专利权的终止

专利权有效期届满IPC(主分类) : H01L 27/00
申请日 : 20080410
授权公告日 : 20090311

2010-10-20 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101010003208
IPC(主分类) : H01L 27/00
专利号 : ZL2008200571455
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 捷顶微电子(上海)有限公司
变更后权利人 : 豪威国际控股有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区春晓路149号主楼1楼
变更后权利人 : 英属西印度群岛开曼群岛大开曼岛玛丽街泽法大楼邮政信箱709GT
登记生效日 : 20100906

2009-03-11 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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