一种用于半导体电容芯片的熔锡装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于半导体电容芯片的熔锡装置，包括熔锡炉本体，所述熔锡炉本体的后端两侧外表面均固定安装有安装支架，所述安装支架的上端中部外表面固定安装有气缸，所述气缸的下端外表面固定安装有活塞柱，所述活塞柱的外表面滑动安装有活动环，所述活塞柱的下端外表面固定连接有防护盖。本实用新型装置通过设置的气缸、活塞柱、防护盖、搅拌手柄、橡胶垫与横向连接杆，搅拌杆通过搅拌手柄的转动在熔锡盆的内部对熔化的锡液体进行搅拌，搅拌杆在搅拌过程中搅拌杆通过外表面固定连接的搅拌连接条与锡液体接触，如果碰撞的锡液体中有固体与搅拌连接条相互碰撞说明锡料没有完全被熔化，需要不断的搅拌使锡材料受热均匀直至完全被熔化。
基本信息
专利标题 ：
一种用于半导体电容芯片的熔锡装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922224718.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-12
授权号 ：
CN211651194U
授权日 ：
2020-10-09
发明人 ：
李杰
申请人 ：
深圳市松冠科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明新区公明街道将石社区石围村坪岗工业大道21号权炬高新产业园A栋6楼
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201922224718.X
主分类号 ：
F27B14/00
IPC分类号 ：
F27B14/00 F27B14/08 F27D27/00
IPC结构图谱
F
F部——机械工程；照明；加热；武器；爆破
F27
炉；窑；烘烤炉；蒸馏炉
F27B
一般馏炉、窑、烘烤炉或蒸馏炉；开式烧结设备或类似设备
F27B
一般馏炉、窑、烘烤炉或蒸馏炉；开式烧结设备或类似设备
F27B14/00
坩埚炉或罐式炉；浴炉
法律状态
2020-10-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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