半导体器件及其制造方法和电器
授权
摘要
本发明提供了一种具有多种功能的半导体器件及其制造方法。此半导体器件包含薄膜集成电路、具有传感器或天线的第一衬底、以及具有天线的第二衬底，其中，薄膜集成电路被插入在具有传感器或天线的第一衬底与具有天线的第二衬底之间。在该半导体器件具有多个天线且该半导体器件在不同频带内通信的情况下，此半导体器件能够接收多个频带，从而扩展了读出器/写入器的选择范围。在该半导体器件具有传感器和天线的情况下，传感器所探测到的信息能够被转化成信号，且这些信号能够经由天线被输出到读出器/写入器。因此，与诸如无线芯片的常规半导体器件相比，该半导体器件具有更高价值。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法和电器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101728327A
申请号 ：
CN200910209870.9
公开（公告）日 ：
2010-06-09
申请日 ：
2005-09-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山崎舜平
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县厚木市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
朱海煜
优先权 ：
CN200910209870.9
主分类号 ：
H01L21/82
IPC分类号 ：
H01L21/82 H01L27/02 H01L21/60 G06K19/077
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
法律状态
2012-03-28 ：
授权
2010-08-11 ：
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101004501616
IPC(主分类) : H01L 21/82
专利申请号 : 2009102098709
申请日 : 20050923
号牌文件序号 : 101004501616
IPC(主分类) : H01L 21/82
专利申请号 : 2009102098709
申请日 : 20050923
2010-06-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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