使用焊料合金的半导体装置

授权

摘要

本发明要解决的问题是提高锡(Sn)-锑(Sb)体系焊料合金的润湿性和焊接性能。使用焊料合金6将具有半导体芯片4的绝缘基片10上的导体图案3与散热板8相连接，所述焊料合金包含3-5重量％的锑(Sb)、不超过0.2重量％的锗(Ge)和余量的锡(Sn)。可用同类的焊料合金5将半导体芯片4和绝缘基片10上的半导体图案2连接。可用同类的焊料合金7将半导体芯片4和连线导体6连接。

基本信息

专利标题：

使用焊料合金的半导体装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN102637662A

申请号：

CN201210102888.0

公开（公告）日：

2012-08-15

申请日：

2006-02-28

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

両角朗征矢野伸高桥良和

申请人：

富士电机株式会社

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

江磊

优先权：

CN201210102888.0

主分类号：

H01L23/488

IPC分类号：

H01L23/488 C22C13/02 H01L21/60 B23K35/26