具有多层过滤器堆叠体的PSTTM器件
授权
摘要
MTJ材料堆叠体，采用这种堆叠体的pSTTM器件，以及采用这种pSTTM器件的计算平台。在一些实施例中，垂直MTJ材料堆叠体包括设置在固定磁层与反铁磁层或合成反铁磁(SAF)堆叠体之间的多层过滤器堆叠体。在一些实施例中，过滤器堆叠体的非磁性层包括Ta、Mo、Nb、W或Hf中的至少一个。这些过渡金属可以是纯的形式或与其它成分形成合金。
基本信息
专利标题 ：
具有多层过滤器堆叠体的PSTTM器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108028313A
申请号 ：
CN201580082564.7
公开（公告）日 ：
2018-05-11
申请日 ：
2015-09-25
授权号 ：
CN108028313B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
K·奥乌兹K·P·奥布莱恩C·J·维甘德MD·T·拉赫曼B·S·多伊尔M·L·多齐O·戈隆茨卡T·加尼J·S·布罗克曼
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
林金朝
优先权 ：
CN201580082564.7
主分类号 ：
H01L43/02
IPC分类号 ：
H01L43/02 H01L43/10 H01L43/12
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2018-10-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 43/02
申请日 : 20150925
申请日 : 20150925
2018-05-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
