用于转移单晶块的方法
授权
摘要
本发明涉及一种转移方法，该转移方法包括以下步骤：a、提供中间基板(10)，该中间基板(10)在其一个表面上包括多个块(20)，所述块(20)由单晶材料制成，所述块(20)包括脆化区域(50)，该脆化区域(50)限定旨在用于被转移到最终基板(60)上的块部分(70)；b、通过使块(20)中的每个的自由表面(40)接触所述最终基板(60)来执行组装步骤；以及c、在该组装步骤之后，在块(20)中的每个的脆化区域(50)处执行分离；该转移方法的特征在于，在该组装步骤期间，该中间基板(10)变形，使得所述块(20)的自由表面变为共面的。
基本信息
专利标题 ：
用于转移单晶块的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108028222A
申请号 ：
CN201680053949.5
公开（公告）日 ：
2018-05-11
申请日 ：
2016-09-19
授权号 ：
CN108028222B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
布鲁诺·吉瑟兰
申请人 ：
索泰克公司
申请人地址 ：
法国伯尔宁
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
吕俊刚
优先权 ：
CN201680053949.5
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 C30B25/18 C30B33/06 H01S5/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2018-06-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20160919
申请日 : 20160919
2018-05-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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