晶片拾取装置
授权
摘要
一种晶片拾取装置，其包括：摄像装置(8)，拍摄晶圆(W)的图像，所述晶圆是被切割为多个晶片(C)且在任意的晶片(Cs)上标付有表示参考位置的标记(Rm)的晶圆；存储部(17)，预先存储设定位置关系，该设定位置关系为晶圆上的已知的基准位置(P)与所述晶圆的标记(Rm)的位置关系；抽取处理部(183)，对所拍摄的晶圆的图像进行图像处理，抽取标记(Rm)和晶圆的形状的特征部分，根据所述形状的特征部分来导出基准位置(P)；异常检测部(184)，对根据所述晶圆的图像而确定的基准位置(P)和标记(Rm)的实测位置关系与存储部(17)所存储的所述设定位置关系进行比较来检测标记(Rm)的位置异常。
基本信息
专利标题 ：
晶片拾取装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108352308A
申请号 ：
CN201680062745.8
公开（公告）日 ：
2018-07-31
申请日 ：
2016-01-28
授权号 ：
CN108352308B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
春日大介
申请人 ：
雅马哈发动机株式会社
申请人地址 ：
日本静冈县
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
穆德骏
优先权 ：
CN201680062745.8
主分类号 ：
H01L21/301
IPC分类号 ：
H01L21/301
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/301
把半导体再细分成分离部分，例如分隔
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2018-08-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/301
申请日 : 20160128
申请日 : 20160128
2018-07-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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