基板处理方法
授权
摘要
本发明提供基板处理装置及方法，以低成本抑制基板的所希望的处理量与实际的处理量的差异和在各部分的处理量的偏差。装置具有：旋转保持部，保持基板并使其旋转；第一供给源，供给第一温度的第一纯水；第二供给源，供给比第一温度高的第二温度的第二纯水；配管系统，将第一纯水分配为一方第一纯水和另一方第一纯水并引导；处理液供给部，将混合一方第一纯水和药液的处理液供至基板的上表面中央区；第一供给部，将主要包含另一方第一纯水的第一液体供至下表面中央区；第二供给部，将主要包含第二纯水的第二液体分别供至下表面周边区与中间区；热量控制部，独立控制第一供给部供给的热量和第二供给部供给的热量，以便变更基板的径向的温度分布。
基本信息
专利标题 ：
基板处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107958855A
申请号 ：
CN201711189179.X
公开（公告）日 ：
2018-04-24
申请日 ：
2015-07-02
授权号 ：
CN107958855B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
藤原直澄江户彻泽岛隼下村辰美
申请人 ：
斯克林集团公司
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
宋晓宝
优先权 ：
CN201711189179.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2018-05-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20150702
申请日 : 20150702
2018-04-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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