具有硅穿孔的芯片堆叠体及其制造方法

授权

摘要

本发明至少提供一种具有硅穿孔的芯片堆叠体，包括：第一芯片，第一芯片包括连接垫；第二芯片，其下表面与第一芯片的上表面相接合，第二芯片设有硅穿孔，硅穿孔贯穿于第一芯片并延伸至连接垫的上表面；绝缘层，覆盖所述硅穿孔的内侧壁；以及穿孔导体，由所述第二芯片连接垫上形成并填充于由所述绝缘层的内侧壁所形成的空间内，所述连接垫的边缘形状没有尖锐的顶角部，可以减小芯片堆叠时连接垫的应力，从而降低了连接垫破损的风险，进而提高芯片堆叠体的产量和良率。

基本信息

专利标题：

具有硅穿孔的芯片堆叠体及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN107845622A

申请号：

CN201711262213.1

公开（公告）日：

2018-03-27

申请日：

2017-12-04

授权号：

CN107845622B

授权日：

2022-04-08

发明人：

不公告发明人

申请人：

睿力集成电路有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦526室

代理机构：

北京市铸成律师事务所

代理人：

张臻贤

优先权：

CN201711262213.1

主分类号：

H01L23/538

IPC分类号：

H01L23/538 H01L21/768

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/52

用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置

H01L23/538

制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构

法律状态

2022-04-08 ：

授权

2018-10-26 ：

专利申请权、专利权的转移

专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 23/538
登记生效日 : 20181008
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 睿力集成电路有限公司
变更后权利人 : 长鑫存储技术有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦526室
变更后权利人 : 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

2018-04-20 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 23/538
申请日 : 20171204

2018-03-27 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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