在惰性气体中进行的集成电路器件测试
授权
摘要
本发明公开了在惰性气体中进行的集成电路器件测试。一种系统包括惰性气体供应、浸泡室、测试室、转移区和加热器。该浸泡室使集成电路（IC）器件在测试之前浸泡在惰性气体中。该测试室包括接触引脚以用来通过使该测试引脚接触IC器件的引线而在惰性气体中测试IC器件。该转移区用以将IC器件从浸泡室转移至测试室。该加热器加热供应给浸泡室和测试室的惰性气体。
基本信息
专利标题 ：
在惰性气体中进行的集成电路器件测试
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108242409A
申请号 ：
CN201711444248.7
公开（公告）日 ：
2018-07-03
申请日 ：
2017-12-27
授权号 ：
CN108242409B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
G.H.于莱M.拉菲张南德T.H.黄薛明
申请人 ：
英飞凌科技股份有限公司
申请人地址 ：
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
王岳
优先权 ：
CN201711444248.7
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 G01R31/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2018-07-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20171227
申请日 : 20171227
2018-07-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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