均一沉积
授权
摘要
基板处理装置的反应室包含反应空间。至少三个侧向化学物入口各自从不同的方向指向反应空间的中心区域，至少三个侧向化学物入口中的每个侧向化学物入口提供第一前体化学物到反应空间的独立可关闭路线。
基本信息
专利标题 ：
均一沉积
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110475906A
申请号 ：
CN201780089178.X
公开（公告）日 ：
2019-11-19
申请日 ：
2017-04-10
授权号 ：
CN110475906B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
T·马利南J·科斯塔莫M·普达斯
申请人 ：
皮考逊公司
申请人地址 ：
芬兰埃斯波
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
赵林琳
优先权 ：
CN201780089178.X
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/52 C23C16/00 C23C16/44 C23C18/00 C30B25/00 C30B25/16 C30B25/14 H01L21/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2020-05-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20170410
申请日 : 20170410
2019-11-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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