基板处理装置

授权

摘要

本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法，能够一边对基板进行加热一边使基板的上表面相对于水平面倾斜，并且，从基板的上方顺利且完全地排除有机溶剂等的处理液的液膜。基板处理装置具有一边对基板进行支撑一边对基板从下方进行加热的基板加热单元和使基板加热单元的姿势在水平姿势和倾斜姿势之间变更的姿势变更单元。在紧接着对基板加热的基板高温化工序执行的有机溶剂排除工序中，通过使基板加热单元的姿势变更为倾斜姿势，来使基板的上表面相对于水平面倾斜。

基本信息

专利标题：

基板处理装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108155133A

申请号：

CN201810131287.X

公开（公告）日：

2018-06-12

申请日：

2015-02-26

授权号：

CN108155133B

授权日：

2022-04-15

发明人：

吉原直彦小林健司奥谷学

申请人：

斯克林集团公司

申请人地址：

日本京都府

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司

代理人：

向勇

优先权：

CN201810131287.X

主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/67 H01L21/687 B05C11/08

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/67

专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置

法律状态

2022-04-15 ：

授权

2018-07-06 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20150226

2018-06-12 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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