基板处理装置
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摘要

本发明提供一种用于在处理容器内独立且面内均匀地对多个基板进行处理的基板处理装置。晶圆处理装置包括:处理容器,其用于气密地容纳晶圆;载置台,其设有多个,该载置台用于在处理容器内载置晶圆;处理气体供给部,其用于自载置台的上方朝向晶圆供给处理气体;排气机构,其用于对处理容器内进行排气;分隔壁,其配置在处理容器内,该分隔壁以与各载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围载置台;以及内壁,其为圆筒形状,该内壁配置在处理容器的底面且以与载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围该载置台,在内壁上形成有狭缝,经由狭缝进行处理空间内的处理气体的排气。在内壁上设有使处理空间内的处理气体以不直接流入狭缝的方式迂回的分隔板。

基本信息
专利标题 :
基板处理装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN108878324A
申请号 :
CN201810678335.7
公开(公告)日 :
2018-11-23
申请日 :
2015-12-25
授权号 :
CN108878324B
授权日 :
2022-04-12
发明人 :
网仓学日向寿树
申请人 :
东京毅力科创株式会社
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘新宇
优先权 :
CN201810678335.7
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  C23C16/44  C23C16/455  H01J37/32  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-12 :
授权
2018-12-18 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20151225
2018-11-23 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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