封装结构及其成型方法
授权
摘要
本发明揭示了一种封装结构及其成型方法，封装结构包括至少一芯片、重布线堆叠层、金属柱及外部引脚，芯片具有若干电极；重布线堆叠层连接芯片，重布线堆叠层包括至少一绝缘层及至少一重布线层，重布线层连通若干电极；金属柱连通重布线层；外部引脚通过金属柱连通重布线层。本发明的封装结构的重布线层及外部引脚之间通过金属柱实现连接，一方面，可提高信号传输的可靠性及线路的延展性，进而大大提高封装结构的电学性能、可靠性及散热性能，另一方面，金属柱可用于确定外部引脚的设置位置，便于外部引脚的成型，可简化工艺，再一方面，金属柱外观特征明显，可在后续的分析检测阶段供识别参考。
基本信息
专利标题 ：
封装结构及其成型方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111668168A
申请号 ：
CN201910174500.X
公开（公告）日 ：
2020-09-15
申请日 ：
2019-03-08
授权号 ：
CN111668168B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
林耀剑
申请人 ：
江苏长电科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市江阴市江阴高新区长山路78号
代理机构 ：
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
沈晓敏
优先权 ：
CN201910174500.X
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/522 H01L23/528 H01L21/60 H01L21/56
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-10-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/31
申请日 : 20190308
申请日 : 20190308
2020-09-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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