晶片干燥系统及方法
授权
摘要
本公开涉及一种晶片干燥方法，此方法检测在干燥气体中的气体性分子污染物，作为单一晶片或多个晶片干燥处理的反馈参数。举例来说，此方法包括在晶片干燥工作站中，分配干燥气体至一个或多个晶片上；从晶片干燥工作站的排气口收集干燥气体；判断在干燥气体中污染物的浓度；若污染物的浓度高于基准值，重新分配干燥气体至一个或多个晶片上；以及若浓度等于或小于基准值，将一个或多个晶片传送出晶片干燥工作站。
基本信息
专利标题 ：
晶片干燥系统及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110718483A
申请号 ：
CN201910628596.2
公开（公告）日 ：
2020-01-21
申请日 ：
2019-07-12
授权号 ：
CN110718483B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
徐伟钧王恕言吴圣威
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
于磊
优先权 ：
CN201910628596.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2020-02-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20190712
申请日 : 20190712
2020-01-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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