化合物半导体与硅基互补金属氧化物半导体晶圆的异构集成方法...
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摘要
本发明涉及半导体材料领域，具体涉及一种化合物半导体与硅基互补金属氧化物半导体晶圆的异构集成方法，包括：选区刻蚀化合物半导体外延层，以在化合物半导体上形成腐蚀槽；在外延层的刻蚀面以及腐蚀槽的内槽壁上形成键合介质层；在硅基衬底上涂敷热固性胶层；将上述化合物半导体、硅基互补金属氧化物半导体晶圆键合；刻蚀化合物半导体的衬底、形成部分键合介质层以及胶层。本发明通过选区刻蚀形成的腐蚀槽，利于热固性胶层中气泡的排出，在化合物半导体上形成键合介质层，保护了化合物半导体的表面，通过热固性胶层与键合介质层的键合，实现了化合物半导体的外延层与硅基互补金属氧化物半导体晶圆的良好键合。
基本信息
专利标题 ：
化合物半导体与硅基互补金属氧化物半导体晶圆的异构集成方法及异构集成器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110534473A
申请号 ：
CN201910691211.7
公开（公告）日 ：
2019-12-03
申请日 ：
2019-07-29
授权号 ：
CN110534473B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
常虎东孙兵刘洪刚金智
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
董李欣
优先权 ：
CN201910691211.7
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 H01L21/8238 H01L27/092
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2019-12-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20190729
申请日 : 20190729
2019-12-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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