半导体存储器中的电容及其制备方法
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摘要
本发明提供一种半导体存储器中的电容及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供一半导体基底；在所述半导体基底上形成牺牲层及顶部支撑层，其中，所述顶部支撑层至少包括依次设置的两层子支撑层，所述子支撑层的硬度依次增加；图形化所述顶部支撑层形成第一开口，并去除部分所述牺牲层，形成电容孔；在所述电容孔中形成下电极，所述下电极覆盖所述电容孔的内壁；图形化所述顶部支撑层形成第二开口，所述第二开口暴露出所述牺牲层；去除所述牺牲层，暴露出所述下电极的外侧壁；在所述下电极暴露的表面上覆盖介质层；在所述介质层暴露的表面上覆盖上电极，形成所述电容。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器中的电容及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112908968A
申请号 ：
CN201911219633.0
公开（公告）日 ：
2021-06-04
申请日 ：
2019-12-03
授权号 ：
CN112908968B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
鲍锡飞
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201911219633.0
主分类号 ：
H01L23/64
IPC分类号 ：
H01L23/64 H01L27/108
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-06-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/64
申请日 : 20191203
申请日 : 20191203
2021-06-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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