一种半导体器件结电容测试仪
授权
摘要
本实用新型涉及电容测试仪器领域，公开了一种半导体器件结电容测试仪，针对现有技术中的电容测试仪缺乏收纳辅助器件的的结构的问题，现提出如下方案，其包括电容测试仪和挡板，所述电容测试仪的顶部一侧铰接有箱盖，箱盖的内侧开设有放置槽，放置槽的底部固定有多个隔板，放置槽的一侧内壁开设有连接槽，放置槽的另外三侧内壁上均固定有限位块，所述挡板的一端贯穿连接槽延伸至放置槽的内部，且挡板位于限位块与隔板之间，所述连接槽的一侧开设有弹簧孔。本实用新型结构合理，设计巧妙，操作简单，解决了现有技术中的电容测试仪缺乏收纳辅助器件的的结构的问题，易于推广使用。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体器件结电容测试仪
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920611345.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-30
授权号 ：
CN210037983U
授权日 ：
2020-02-07
发明人 ：
张娜娜
申请人 ：
上海华碧检测技术有限公司
申请人地址 ：
上海市黄浦区国权北路1688弄75号104室
代理机构 ：
六安市新图匠心专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
胡艳
优先权 ：
CN201920611345.9
主分类号 ：
G01R27/26
IPC分类号 ：
G01R27/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R27/00
测量电阻、电抗、阻抗或其派生特性的装置
G01R27/02
电阻、电抗、阻抗或其派生的其他两端特性，例如时间常数的实值或复值测量
G01R27/26
电感或电容的测量；品质因数的测量，例如通过应用谐振法；损失因数的测量；介电常数的测量
法律状态
2020-02-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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