一种功率半导体器件结电容测试装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种功率半导体器件结电容测试装置，包括装置壳及连接线，所述装置壳的内底部固定连接有用于固定的夹具板，所述夹具板的周围设有用于测试结电容的检测机构，所述夹具板的上表面固定连接有三个接线头，三个所述接线头与连接线之间设有用于固定接线的卡合机构，所述连接线的末端固定连接有测物夹，所述测物夹的内部设有用于夹紧被测物的夹持机构，本实用新型结构合理，能稳定的将导线与连接头及被测物固定起来，便于测量。
基本信息
专利标题 ：
一种功率半导体器件结电容测试装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020290037.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-11
授权号 ：
CN211979109U
授权日 ：
2020-11-20
发明人 ：
郭国平
申请人 ：
敦吉电子（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市徐汇区桂平路680号34＃楼三、四楼
代理机构 ：
上海汇齐专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
童强
优先权 ：
CN202020290037.3
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R27/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2020-11-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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