一种半导体芯片散热装置
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了一种半导体芯片散热装置，包括半导体制冷片，所述半导体制冷片的散热面上连接有散热片，散热片两侧连接有散热管，散热管上固定有散热鳍片，半导体制冷片的制冷面下端设有冷头，冷头上设有凹槽，凹槽的底面积大于半导体制冷片制冷面的底面积，凹槽与半导体制冷片的制冷面连接形成储水槽，一端连接有排水口。本实用新型能防止半导体制冷片产生的冷凝水滴入主板，无需配合水冷装置使用，结构简单，价格便宜。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体芯片散热装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920669671.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-11
授权号 ：
CN209626206U
授权日 ：
2019-11-12
发明人 ：
陈晓磊杨振轩杨明文
申请人 ：
安成易加（深圳）数字科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市罗湖区南湖街道深南东路4003号世界金融中心A座五楼
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920669671.5
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/427 H01L23/473 H01L23/467
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2021-04-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/367
申请日 : 20190511
授权公告日 : 20191112
终止日期 : 20200511
申请日 : 20190511
授权公告日 : 20191112
终止日期 : 20200511
2019-11-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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