半导体结构

授权

摘要

本实用新型实施例涉及一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底内具有栅极结构，所述衬底暴露出所述栅极结构顶部表面；掺杂区，所述掺杂区位于所述栅极结构相对两侧；层间介质层，所述层间介质层覆盖所述掺杂区和所述栅极结构，所述层间介质层内具有接触孔，所述接触孔暴露出所述掺杂区表面；未掺杂半导体层，所述未掺杂半导体层位于所述接触孔底部，所述未掺杂半导体层位于所述掺杂区表面上；上层半导体层，所述上层半导体层位于所述接触孔内，所述上层半导体层位于所述未掺杂半导体层上，所述上层半导体层内具有掺杂离子。本实用新型能够降低器件的GIDL电流，减小静态功耗。

基本信息

专利标题：

半导体结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920805418.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-05-29

授权号：

CN209981217U

授权日：

2020-01-21

发明人：

李宁

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

成丽杰

优先权：

CN201920805418.8

主分类号：

H01L27/092

IPC分类号：

H01L27/092 H01L21/8238