一种用于化学气相沉积硅基薄膜钝化层的托盘结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于化学气相沉积硅基薄膜钝化层的托盘结构，包括托盘四周的托盘顶部和托盘口袋底部，所述托盘口袋底部四周倒角设置有斜边，所述斜边上设置有若干个定位点，所述斜边内侧相邻设置有四周支撑结构，所述四周支撑结构内侧与所述托盘口袋底部边缘相邻，所述托盘口袋底部开设有若干个导气孔。本实用新型既可限制硅片尽量位于托盘的中央部分，也防止托盘边缘遮挡导致在硅片边缘沉积薄膜不均匀，还可以有效防止硅片尤其是超薄硅片因受热或遇气流而越出托盘口袋底部；可防止硅片与托盘底面大面积接触造成硅片底面污染；可有效消除取放硅片时硅片与托盘之间产生的压力差，还可以保证硅片充分受热均匀。
基本信息
专利标题 ：
一种用于化学气相沉积硅基薄膜钝化层的托盘结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921083085.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-11
授权号 ：
CN209947816U
授权日 ：
2020-01-14
发明人 ：
张丽平刘正新石建华孟凡英谢毅
申请人 ：
中威新能源（成都）有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市双流西南航空港经济开发区内
代理机构 ：
成都时誉知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
沈成金
优先权 ：
CN201921083085.9
主分类号 ：
H01L21/687
IPC分类号 ：
H01L21/687 H01L31/18 C23C16/54
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
H01L21/687
使用机械装置的，例如卡盘、夹具或夹子
法律状态
2020-01-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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