一种适用于晶圆单面电镀工艺的密封上盖
授权
摘要
本实用新型公开了一种适用于晶圆单面电镀工艺的密封上盖，属于半晶圆表面电化学加工技术领域，密封装置包括密封圈和夹具上盖，所述密封圈包括一体成型的第一密封圈和第二密封圈，第一密封圈的外径与内径的差值小于第二密封圈外径与内径的差值，所述第二密封圈A面为圆弧光面，所述圆弧光面与晶圆接触，所述第一密封圈位于第二密封圈的A面相对面；所述夹具上盖包括阴极导电圈，所述导电圈内环设有与所述第一密封圈适配的沟槽。本实用新型中夹具上盖中的沟槽与第一密封圈嵌入固定，固定方式更高牢靠，接触需要进行电镀的晶圆表面为密封圈的圆弧光面，能够防止电镀液过渡到不需要进行电镀的晶圆表面。
基本信息
专利标题 ：
一种适用于晶圆单面电镀工艺的密封上盖
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921272288.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-07
授权号 ：
CN210481542U
授权日 ：
2020-05-08
发明人 ：
彭信军
申请人 ：
成都海威华芯科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市双流区中国（四川）自由贸易试验区成都市双流区西南航空港经济开发区物联大道88号
代理机构 ：
成都华风专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
张巨箭
优先权 ：
CN201921272288.2
主分类号 ：
C25D5/02
IPC分类号 ：
C25D5/02 C25D7/12 C25D17/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C25
电解或电泳工艺；其所用设备
C25D
覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸；工件的电解法接合；所用的装置
C25D5/00
以工艺方法为特征的电镀；工件的预处理或后处理
C25D5/02
局部表面上的电镀
法律状态
2020-05-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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