具有截止环结构的功率半导体器件
授权
摘要
本实用新型涉及半导体技术领域，具体公开了一种具有截止环结构的功率半导体器件，包括半导体基板，元胞区位于半导体基板的中心区，终端保护区位于元胞区的外圈且环绕元胞区设置；位于终端保护区的第二导电类型体区内环绕第二类沟槽的外围设置有截止环结构；截止环结构包括第三类沟槽、第四类沟槽和截止环金属，第三类沟槽和第四类沟槽的沟槽底部均伸入第一导电类型外延层内，截止环金属位于第三类沟槽和第四类沟槽的上方，且截止环金属能够通过第四类沟槽伸入第一导电类型外延层内。本实用新型提供的具有截止环结构的功率半导体器能够提高功率半导体器件的截止能力，阻止器件漏电。
基本信息
专利标题 ：
具有截止环结构的功率半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921417128.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-29
授权号 ：
CN210272375U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
朱袁正周锦程
申请人 ：
无锡新洁能股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN201921417128.2
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L29/40 H01L21/336
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
