晶圆加工装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种晶圆加工装置，包括制程腔室与加热机构。所述制程腔室用于放置晶圆。反应溶液提供机构，所述反应溶液提供机构用于将磷酸溶液输送到所述晶圆的待加工处理面上。所述加热机构用于对所述待加工处理面上的磷酸溶液进行加热处理。由于将待加工处理面上的磷酸溶液进行加热控温，并控制加热温度为120℃以上，这样能避免磷酸溶液由于大量热损失而导致温度过低，从而能保证晶圆的待加工处理面上的反应温度，无需较多的蚀刻剂体积和较长的加工时间才能达到预设的蚀刻量，能提高对氮化硅的蚀刻选择性，及降低对二氧化硅的蚀刻量，此外，能够提高蚀刻均匀性，以及提高蚀刻工作效率。
基本信息
专利标题 ：
晶圆加工装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921658167.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-30
授权号 ：
CN210378983U
授权日 ：
2020-04-21
发明人 ：
刘军
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
别亮亮
优先权 ：
CN201921658167.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/311
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-04-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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