天线封装结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型提供一种天线封装结构，包括：重新布线层、第一天线层、第一金属馈线柱、第一封装层、第二天线层、第二金属馈线柱、第二封装层、第三天线层、半导体芯片、金属凸块及第三封装层。本实用新型基于第三封装层对半导体芯片进行保护，将芯片和金属凸块同时封装，可有效提高封装结构的稳定性，先在封装层中开孔再形成金属凸块，简化工艺，有利于金属凸块的制备，通过多层金属馈线柱及多层封装层形成多层天线结构，减小封装尺寸，增强接收信号能力，扩大接收信号频宽，形成底部填充层，提高封装稳定性，增加围坝点胶工艺，提高芯片的稳定性，对芯片进行双重保护，并可以有效减少封装工艺流程，提高工艺周期。
基本信息
专利标题 ：
天线封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921804313.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-25
授权号 ：
CN210692484U
授权日 ：
2020-06-05
发明人 ：
吴政达陈彦亨林正忠薛亚媛徐罕
申请人 ：
中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市江阴市长山大道78号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
佟婷婷
优先权 ：
CN201921804313.7
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L21/60 H01L23/485 H01L23/31 H01L25/18 H01Q1/22 H01Q1/38 H01Q1/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2021-07-02 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/56
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体（江阴）有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体（江阴）有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体（江阴）有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体（江阴）有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）
2020-06-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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