天线封装结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型提供一种天线封装结构,包括:重新布线层、第一天线层、第一金属馈线柱、第一封装层、第二天线层、第二金属馈线柱、第二封装层、第三天线层、半导体芯片、金属凸块及第三封装层。本实用新型基于第三封装层对半导体芯片进行保护,将芯片和金属凸块同时封装,可有效提高封装结构的稳定性,通过多层金属馈线柱及多层封装层形成多层天线结构,可减小封装尺寸,增强接收信号能力,扩大接收信号频宽,形成底部填充层,提高封装结构稳定性,半导体芯片、重新布线层及天线金属等结构设置为垂直排列结构,可有效缩短组件之间传导路径,有更好的电性和天线性能,具有较低的功耗,制程结构整合性高。
基本信息
专利标题 :
天线封装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921804349.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-25
授权号 :
CN210692486U
授权日 :
2020-06-05
发明人 :
吴政达陈彦亨林正忠薛亚媛徐罕
申请人 :
中芯长电半导体(江阴)有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市江阴市长山大道78号
代理机构 :
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 :
佟婷婷
优先权 :
CN201921804349.5
主分类号 :
H01L21/56
IPC分类号 :
H01L21/56 H01L21/60 H01L23/485 H01L23/31 H01L25/18 H01Q1/22 H01Q1/38 H01Q1/50
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装,例如密封层、涂层
法律状态
2021-07-02 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/56
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体(江阴)有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体(江阴)有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号(经营场所江阴市东盛西路9号)
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体(江阴)有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体(江阴)有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号(经营场所江阴市东盛西路9号)
2020-06-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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