射频功放模组封装结构及通信基站

授权

摘要

本申请提供的射频功放模组封装结构及通信基站，涉及半导体器件封装技术领域，通过将若干GaN射频功放芯片设置在预塑封引线框架的中央焊盘，将盖罩密封贴合在中央焊盘四周的导电焊盘上的方式，对GaN射频功放芯片进行封装。中央焊盘可以起到较好的散热作用，在中央焊盘四周设置实现与GaN射频功放芯片电连接的导电焊盘，属于CSP(Chip Scale Package,芯片级封装)封装的一种，使得整个封装结构具有产品体积小、性能优、成本低、工艺灵活且兼容性强等效果。采用上述封装结构可以将若干GaN射频功放芯片封装成射频功放模组，以将GaN射频功放芯片应用在5G通信中。

基本信息

专利标题：

射频功放模组封装结构及通信基站

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921918762.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-08

授权号：

CN210403716U

授权日：

2020-04-24

发明人：

沈堂芹季海健陆立胜石岩

申请人：

嘉盛半导体（苏州）有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市工业园区西沈浒路88号

代理机构：

北京超成律师事务所

代理人：

韩梦嘉

优先权：

CN201921918762.4

主分类号：

H01L23/495

IPC分类号：

H01L23/495 H01L23/31 H01L25/065