射频功放模组封装结构及通信基站
授权
摘要
本申请提供的射频功放模组封装结构及通信基站,涉及半导体器件封装技术领域,通过将若干GaN射频功放芯片设置在预塑封引线框架的中央焊盘,将盖罩密封贴合在中央焊盘四周的导电焊盘上的方式,对GaN射频功放芯片进行封装。中央焊盘可以起到较好的散热作用,在中央焊盘四周设置实现与GaN射频功放芯片电连接的导电焊盘,属于CSP(Chip Scale Package,芯片级封装)封装的一种,使得整个封装结构具有产品体积小、性能优、成本低、工艺灵活且兼容性强等效果。采用上述封装结构可以将若干GaN射频功放芯片封装成射频功放模组,以将GaN射频功放芯片应用在5G通信中。
基本信息
专利标题 :
射频功放模组封装结构及通信基站
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921918762.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-08
授权号 :
CN210403716U
授权日 :
2020-04-24
发明人 :
沈堂芹季海健陆立胜石岩
申请人 :
嘉盛半导体(苏州)有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市工业园区西沈浒路88号
代理机构 :
北京超成律师事务所
代理人 :
韩梦嘉
优先权 :
CN201921918762.4
主分类号 :
H01L23/495
IPC分类号 :
H01L23/495 H01L23/31 H01L25/065
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置,例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2020-04-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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