一种基于镜面反射的倾斜曝光系统和光刻机

授权

摘要

本实用新型公开了一种基于镜面反射的倾斜曝光系统，包括紫外光源、掩膜板，晶圆基片和反射镜面，所述晶圆基片上载有用于光刻的所述掩膜板，所述紫外光源与所述掩膜板间包括一个或两个倾斜光学镜面。本实用新型在接近/接触式光刻系统的紫外光光源下方，设置一个或两个倾斜光学镜面，以实现将原来垂直于基片的光束，变成和基片形成夹角的光束。本实用新型能够通过倾斜曝光达到对基片垂直于基片表面的侧壁上进行光刻的目的，从而可以加工垂直的立体结构。本实用新型可以在垂直侧壁上加工器件的某些特殊的芯片结构，比如在垂直结构上面做图形或在两个面间做的电学互联；从而节约基底面积，使得MEMS器件体积更小。

基本信息

专利标题：

一种基于镜面反射的倾斜曝光系统和光刻机

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921939414.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-12

授权号：

CN210776184U

授权日：

2020-06-16

发明人：

顾轶峰龚里

申请人：

苏斯贸易(上海)有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区华京路8号432室

代理机构：

苏州中合知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

李中华

优先权：

CN201921939414.5

主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

G03F7/20