一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积装置
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型提供了一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积装置,属于化学气相沉积技术领域。本实用新型装置包括依次连接的供气装置、真空气相沉积炉、真空泵和尾气处理装置,真空气相沉积炉包括沉积腔室和加热源,沉积腔室被设有孔洞的隔板分隔为化学气相沉积室和收尘室,通过将化学气相沉积室的进气口和收尘室的出气口均设在孔洞的上方,使气流以Z字形方式在腔室内流动,延长其在腔室中的行走路径和停留时间,增加甲基三氯硅烷的分解度,提高成品率,同时减少甲基三氯硅烷进入后端出气管道;再通过收尘室与真空泵之间设置过滤器,收尘室与过滤器之间的管道设有能通冷却液的夹层,以降低甲基三氯硅烷在该管道处的分解以及粉尘的堆积,保证生产顺利。

基本信息
专利标题 :
一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921971034.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-14
授权号 :
CN211367813U
授权日 :
2020-08-28
发明人 :
胡丹于金凤朱刘
申请人 :
广东先导稀材股份有限公司
申请人地址 :
广东省清远市清新区禾云镇工业区(鱼坝公路旁)
代理机构 :
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 :
颜希文
优先权 :
CN201921971034.X
主分类号 :
C30B28/14
IPC分类号 :
C30B28/14  C30B29/36  C23C16/455  C23C16/32  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B28/00
制备具有一定结构的均匀多晶材料
C30B28/12
由气态直接制备
C30B28/14
用反应气体的化学反应法
法律状态
2021-07-27 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C30B 28/14
登记生效日 : 20210715
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 广东先导稀材股份有限公司
变更后权利人 : 安徽中飞科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 511517 广东省清远市清新区禾云镇工业区(鱼坝公路旁)
变更后权利人 : 239000 安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号
2020-08-28 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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