一种大尺寸硅片碱腐清洗装置
授权
摘要
本实用新型提供一种大尺寸硅片碱腐清洗装置，包括依次设置的预清洗单元、碱洗单元、酸洗单元和干燥单元，在所述碱洗单元至少包括一个碱液槽，所述干燥单元至少包括烘干槽。本实用新型可去除硅片表面由减薄造成的损伤层，同时最大限度地降低硅片表面的金属离子，保证硅片表面洁净，提高硅片表面洁净度，保证产品质量，提高硅片清洗的成品率。
基本信息
专利标题 ：
一种大尺寸硅片碱腐清洗装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922001709.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-19
授权号 ：
CN210837672U
授权日 ：
2020-06-23
发明人 ：
刘姣龙武卫孙晨光刘建伟由佰玲刘园谢艳杨春雪刘秒常雪岩裴坤羽祝斌王彦君吕莹徐荣清
申请人 ：
天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请人地址 ：
天津市滨海新区华苑产业区（环外）海泰东路12号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN201922001709.4
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-06-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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