一种压接型SiC功率模块封装结构
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摘要
一种压接型SiC功率模块封装结构，包括绝缘壳体、主端子以及表面安装有芯片的DBC基板，所述绝缘壳体为下部开口的结构，所述绝缘壳体内设置有容纳腔，所述DBC基板压接安装在所述绝缘壳体的下部开口处，且所述DBC基板安装所述芯片的一面朝向所述绝缘壳体的内部，所述绝缘壳体的侧部形成有用于安装主端子的主端子安装孔，所述主端子通过所述主端子安装孔安装在所述绝缘壳体上并与所述绝缘壳体内的所述DBC基板电连接。本实用新型的压接型封装结构可使SiC功率模块的电特性、热特性、散热能力以及通流能力大大增强，有效提升模块整体可靠性，减小模块尺寸，提高功率密度。
基本信息
专利标题 ：
一种压接型SiC功率模块封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922237947.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-13
授权号 ：
CN211045412U
授权日 ：
2020-07-17
发明人 ：
杨柳张振中孙军和巍巍
申请人 ：
深圳基本半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区高新区南区南环路29号留学生创业大厦二期22楼
代理机构 ：
深圳新创友知识产权代理有限公司
代理人 ：
王震宇
优先权 ：
CN201922237947.5
主分类号 ：
H01L23/04
IPC分类号 ：
H01L23/04 H01L23/495 H01L23/367 H01L23/08 H01L23/49
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/04
按外形区分的
法律状态
2020-07-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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